「シリコンカーバイド（SiC）市場規模、シェア、動向、2030年までの世界予測」出版・販売開始のご案内
株式会社SEMABIZ
公開日：2025/12/1
SEMABIZはMarketsandMarketsの市場調査報告書「シリコンカーバイド（SiC）市場規模、シェア、動向、2030年までの世界予測 - Silicon Carbide (SiC) Market - Global Forecast to 2030」の販売を開始いたしました。株式会社SEMABIZはMarketsandMarkets（マーケッツアンドマーケッツ）の日本の正規代理店です。
詳細資料・サンプルは下記よりご請求ください
https://chosareport.com/mnmse2556/
世界のシリコンカーバイド（SiC）市場は2025年に38億3,000万米ドル規模となり、年平均成長率（CAGR）25.7%で成長し、2030年には120億3,000万米ドルに達するとMarketsandMarketsでは予測しています。
MarketsandMarkets（マーケッツアンドマーケッツ）「シリコンカーバイド（SiC）市場 – SiCディスクリートデバイス（SiCダイオードおよびSiC MOSFET）、SiCモジュール、電圧範囲（最大1,200 V、低電圧（1,200 V～1,700 V）、中電圧（1,700 V～3,300 V）、高電圧（3,300 V以上））、車載用SiCデバイス – 2030年までの世界予測 – Silicon Carbide (SiC) Market by SiC Discrete Device (SiC Diode and SiC MOSFET), SiC Module, Voltage Range (Up to 1,200 V, Low (1,200 V to 1,700 V), Medium (1,700 V to 3,300 V), High (More than 3,300 V)), Automotive SiC Device – Global Forecast to 2030」はシリコンカーバイド（炭化ケイ素／SiC）の世界市場を調査し、主要セグメント別に分析・予測を行っています。
【主な掲載内容】
・市場概観・市場ダイナミクス
・サプライチェーン分析
・エコシステム分析
・投資と資金調達シナリオ
・顧客のビジネスに影響を与える動向／ディスラプション
・技術分析
・価格分析
・主要ステークホルダーと購入基準
・ファイブフォース分析
・ケーススタディ分析
・貿易分析
・法規制環境
・主要会議とイベント 2024-2025年
・人工知能（AI）と生成AIがシリコンカーバイド市場に与える影響
・2025年の米国の関税措置がシリコンカーバイド市場に与える影響
・SiCデバイスの結晶構造
・立方晶（3C-SiC/閃亜鉛鉱）
・六方晶（4H-SiCおよび6H-SiC）
・菱面体晶（15R-SiC）
・SiCの原料タイプ
・緑色炭化ケイ素
・黒色炭素ケイ素
・多様なウエハーサイズにおけるシリコンカーバイド市場動向
・150MM以上
・150MM未満
・デバイス別シリコンカーバイド市場
・SiCディスクリートデバイス
・SiCモジュール
・業種別シリコンカーバイド市場
・自動車
・電気自動車
・充電施設
・エネルギー＆発電
・再生可能エネルギー
・エネルギー貯蔵システム
・工業
・鉄道
・航空宇宙＆船舶
・輸送
・電気通信
・その他の業種
・電圧範囲別シリコンカーバイド市場
・1,200以下
・1,200-1,700V
・1,701-3,300V
・3,300V超
・地域
・北米
・米国
・カナダ
・メキシコ
・欧州
・英国
・ドイツ
・フランス
・イタリア
・スペイン
・ポーランド
・北欧諸国
・その他の欧州
・アジア太平洋地域
・中国
・日本
・韓国
・インド
・オーストラリア
・インドネシア
・マレーシア
・タイ
・ベトナム
・その他のアジア太平洋地域
・その他の地域（RoW）
・中東
・バーレーン
・クウェート
・オマーン
・カタール
・サウジアラビア
・アラブ首長国連邦（UAE）
・その他の中東
・アフリカ
・南アフリカ
・その他のアフリカ
・南米
・競合勢力図
・主要プレイヤーの戦略／勝つ権利
・市場シェア分析 2024年
・企業評価と財務マトリクス
・ブランド／製品比較
・主要プレイヤの収益分析 2020-2024年
・企業評価マトリクス：主要プレイヤ 2024年
・企業評価マトリクス：スタートアップ／中小企業 2024年
・競合シナリオと動向
・企業情報
【レポート概要】
シリコンカーバイド（SiC）市場 - SiCディスクリートデバイス（SiCダイオードおよびSiC MOSFET）、SiCモジュール、電圧範囲（最大1,200 V、低電圧（1,200 V～1,700 V）、中電圧（1,700 V～3,300 V）、高電圧（3,300 V以上））、車載用SiCデバイス - 2030年までの世界予測
Silicon Carbide (SiC) Market by SiC Discrete Device (SiC Diode and SiC MOSFET), SiC Module, Voltage Range (Up to 1,200 V, Low (1,200 V to 1,700 V), Medium (1,700 V to 3,300 V), High (More than 3,300 V)), Automotive SiC Device - Global Forecast to 2030
出版：MarketsandMarkets
出版年月：2025年10月
https://chosareport.com/mnmse2556/
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