「半導体製造装置のグローバル市場予測：リソグラフィ、ウェーハ表面調整、エッチング、CMP、蒸着、ウェーハクリーニング（～2029）」産業調査レポートを販売開始

H&Iグローバルリサーチ株式会社

更新日：2025/9/11

*****「半導体製造装置のグローバル市場予測：リソグラフィ、ウェーハ表面調整、エッチング、CMP、蒸着、ウェーハクリーニング（～2029）」産業調査レポートを販売開始 *****

2025年5月27日

H&Iグローバルリサーチ（株）

H&Iグローバルリサーチ株式会社（本社：東京都中央区）は、この度、MarketsandMarkets社が調査・発行した「半導体製造装置のグローバル市場予測：リソグラフィ、ウェーハ表面調整、エッチング、CMP、蒸着、ウェーハクリーニング（～2029）」市場調査レポートの販売を開始しました。半導体製造装置の世界市場規模、市場動向、市場予測、関連企業情報などが含まれています。

***** 調査レポートの概要 *****

1. レポート概要

本レポートは、2024年の1,092.4億米ドルから2029年の1,550.9億米ドルへ、年平均成長率（CAGR）7.3％で成長が予測される半導体製造装置市場を詳細に分析します。以下の視点で市場動向を明らかにし、事業戦略や投資判断に資する洞察を提供します。

・市場規模・予測：2024–2029年、製品タイプ・技術ノード・地域別に定量的な市場推計
・セグメント分析：露光／エッチング／成膜／CMP／検査計測／パッケージング・テスト装置等
・アプリケーション別需要：DRAM／NAND／ロジック／CMOSイメージセンサー／ファウンドリ
・地域展望：アジア太平洋（中国、日本、台湾、韓国）、北米、欧州、その他
・競合環境：主要プレーヤーの市場シェア、M&A、技術提携動向
・市場ダイナミクス：成長ドライバー、抑制要因、機会、課題
・調査手法：一次インタビュー、二次データ、ボトムアップ／トップダウン推計、感度分析

1. 市場定義

半導体製造装置市場は、チップ設計から量産までの全プロセスにおいて使用される装置を対象とし、主に以下のカテゴリに分類されます：

1. 露光装置：DUV、EUVなど最先端プロセス向け
2. エッチング装置：プラズマエッチング、ウェットエッチング
3. 成膜装置：CVD、PVD、ALD、Epitaxy
4. CMP装置：ウェハ面平坦化用
5. 検査・計測装置：SEM、TEM、AFM、レーザー検査
6. パッケージング・テスト装置：後工程装置および試験系
7. その他装置：ウェーハ搬送ロボット、前処理装置など

また、ウェーハサイズ（200mm、300mm、450mm）や製造技術ノード（7nm〜）によってもセグメント化されます。

1. 世界市場規模と予測
・2024年：1,092.4億米ドル
・2029年：1,550.9億米ドル
・CAGR（2024–2029）：7.3％

この成長は、先進プロセス向け装置需要の急増、自動車・IoT・AIワークロード向け半導体生産能力の拡大、先進的パッケージング技術の普及が主要因です。

1. 市場ダイナミクス

4.1 主な成長ドライバー

・ファブキャパシティの拡大：メモリおよび先端ロジック向け生産ラインの新設・増設加速。
・自動車用半導体需要の急増：EV・ADAS・コネクテッドカー化による専用チップ生産。
・先進パッケージング技術：Heterogeneous Integration、3D積層チップの量産化。
・政府支援策の強化：米国CHIPS法、中国半導体振興政策などによる投資促進。

4.2 主な抑制要因

・高額な装置投資：EUV露光装置など超先端装置の1台数億ドル規模投資が参入障壁。
・顧客キャパシティの繁閑波動：半導体市況変動に伴う設備投資のタイミングズレ。

4.3 市場機会

・サブ7nmプロセス向け装置：3nm以降の微細化需要に対応する新装置開発。
・中国内製化の潮流：国内装置メーカー支援とファブ設備投資機会の増加。
・アジア新興国でのパッケージング・テスト需要：台湾／中国以外の新拠点開発。

4.4 市場課題

・サプライチェーン制約：半導体装置部材の多国間調達リスク。
・人材不足：高度装置の設計・保守に必要な専門技術者の確保。

1. セグメンテーション分析

セグメント

主な内容

装置タイプ別

露光、エッチング、成膜、CMP、検査・計測、後工程装置

ウェーハサイズ別

200mm、300mm、450mm

技術ノード別

≥7nm、7〜14nm、14〜28nm、28nm以上

アプリケーション別

DRAM、NAND、ロジック、CMOSイメージセンサー、ファウンドリ他

地域別

アジア太平洋、北米、欧州、その他

1. 地域別市場動向
・アジア太平洋：市場の約60％を占め、台湾・韓国・中国・日本が主要拠点。
・北米：最先端技術開発拠点としてEUV投資が活発。
・欧州：自動車集積回路需要に伴う限定的成長。
・その他地域：中東・中南米の新興ファブ投資。

1. 競合環境
・主要プレーヤー：Applied Materials, ASML, Tokyo Electron, Lam Research, KLA, Advantest, SCREEN Holdings, AMEC ほか
・市場シェア：上位5社で約60％を占有
・戦略動向：M&A、提携による製品ライン拡充、サービスやソフトウェア統合による差別化

1. 調査手法
・一次データ：装置メーカー、ファブオペレーター、業界専門家へのインタビュー計100件以上
・二次データ：公的統計、業界団体レポート、企業年次報告、学術論文
・市場規模推計：ボトムアップ／トップダウン両手法の三角測量
・感度分析：主要パラメータ（キャパシティ、装置稼働率、ASP）の変動影響評価

***** 調査レポートの目次(一部抜粋) *****

序文

・レポートの背景と目的
・市場範囲の定義とセグメンテーション
・用語解説
・調査フレームワークとデータソース
・更新履歴および版権表示
・本レポートの利用方法と対象読者

第1章エグゼクティブサマリー

・世界市場ハイライト（市場規模推移、CAGR予測）
・主要セグメント（装置タイプ、技術ノード、地域）別の主要インサイト
・市場の成長ドライバー、抑制要因、機会の概要
・主要プレーヤー競合環境のサマリー
・戦略的提言

第2章調査手法論

・調査アプローチの全体構造
・一次データ収集手法
・インタビュー対象：装置メーカー、ファウンドリ／IDMオペレーター、設計・開発部門
・調査ガイドラインとサンプリング
・二次データ参照先
・公的統計（国際半導体製造装置協会他）
・企業年次報告、プレスリリース、業界団体レポート
・学術論文、特許データ
・市場規模推計手法
・ボトムアップアプローチ
・トップダウンアプローチ
・三角測量（Triangulation）による検証
・予測モデル構築と感度分析
・前提条件・リスク要因・限界事項

第3章市場概要

・半導体製造装置市場の定義と範囲
・サプライチェーンマッピング
・原料・部材調達
・装置製造
・ファブ運用・サービス
・ウェーハプロセスフローと装置配置
・主要規格・安全・環境規制（国際標準、各国基準）
・ポーターの5フォース分析

第4章市場ダイナミクス

4.1 成長ドライバー

・ファブキャパシティ拡大（メモリ、先端ロジック、ファウンドリ投資）
・EV・5G・AI向け専用デバイス需要の高まり
・先進パッケージング（3D積層、FO-WLP 他）
・各国の半導体振興政策・助成金（米CHIPS法、中国半導体振興計画他）

4.2 抑制要因

・超先端装置の高額投資と長納期
・市況変動による投資タイミングのばらつき
・サプライチェーンの地政学的リスク

4.3 市場機会

・サブ7 nmプロセス向けEUV／高NA露光装置
・China plus 1戦略によるアジア新興国ファウンドリ投資
・装置のIoT／AI化による予知保全サービス展開

4.4 課題

・高度人材不足（装置開発・保守エンジニア）
・部品調達の多国間依存リスク
・環境・エネルギー効率規制対応

第5章製品タイプ別分析

5.1 露光装置

・DUVマスクアライナー vs ステッパー
・EUVステッパー動向
・製品ライフサイクルと市場シェア

5.2 エッチング装置

・プラズマエッチング（ドライ）
・ウェットエッチング
・先端パターン処理ニーズ

5.3 成膜装置

・CVD（PECVD、UHVCVD 他）
・PVD（スパッタリング、イオンプレーティング）
・ALD／Epitaxy

5.4 CMP装置

・ウェハ面平坦化
・デバイス階層別平坦化要件

5.5 検査・計測装置

・SEM／TEM／FIB
・光学検査（レーザー、ビジョンシステム）
・CD-SEM／散乱測定

5.6 パッケージング・テスト装置

・ウェハレベルパッケージ（WLP）、チップレット組立
・自動試験ハンドラー

5.7 その他装置

・ウェハ搬送ロボット／ローディング機器
・前処理装置（洗浄、乾燥他）
・アフターサービス／リファービッシュ機器

第6章ウェーハサイズ別分析

・200 mm装置市場動向
・300 mm装置主流化の進展
・450 mm装置への移行シナリオ

第7章技術ノード別分析

・≥7 nm（3 nm、5 nm含む）向け装置ニーズ
・7–14 nm（EUV併用世代）
・14–28 nm（最適コストプロセス）
・28 nm以上（パワー、アナログデバイス）

第8章アプリケーション別分析

8.1 メモリ

・DRAM（量産キャパシティ、装置比率）
・NANDフラッシュ（3D NAND向け装置要件）

8.2 ロジック

・ファウンドリサービス市場
・IDM向け最先端ロジック

8.3 CMOSイメージセンサー／アナログ

・CISの高解像度化に伴う検査計測装置ニーズ
・パワー半導体／アナログデバイス

8.4 その他（MEMS、フォトニクス他）

第9章地域別分析

・アジア太平洋
・中国、台湾、韓国、日本の市場シェアと投資動向
・北米
・米国の最先端R&D投資案件
・欧州
・自動車向け集積回路施設拡張
・その他地域
・中東・中南米の新規ファブ建設

第10章競合環境分析

・主要プレーヤー市場シェア（上位10社）
・ポジショニングマップ
・製品ポートフォリオ比較
・合併・買収、提携動向
・サービス・ソリューション戦略

第11章主要企業プロファイル

・Applied Materials, Inc.
・ASML Holding N.V.
・Tokyo Electron Ltd.
・Lam Research Corporation
・KLA Corporation
・Advantest Corporation
・SCREEN Holdings Co., Ltd.
・Japan’s AMEC, CEA-Leti, その他主要企業

第12章将来展望と戦略的提言

・ベース／高成長／低成長シナリオによる予測
・シリコンフォトニクス、量子デバイス向け装置ニーズ
・サステナビリティとエネルギー効率向上提言
・新興市場へのアプローチ戦略

付録

・用語集
・図表一覧
・表一覧
・調査対象企業リスト
・免責事項

※「半導体製造装置のグローバル市場予測：リソグラフィ、ウェーハ表面調整、エッチング、CMP、蒸着、ウェーハクリーニング（～2029）」調査レポートの詳細紹介ページ

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