「ガリウムナイトライド半導体デバイスの世界市場：製品別（GaN無線周波数デバイス、光半導体）（2025～2030）」産業調査レポートを販売開始
H&Iグローバルリサーチ株式会社
公開日：2025/9/23
*****「ガリウムナイトライド半導体デバイスの世界市場：製品別（GaN無線周波数デバイス、光半導体）（2025～2030）」産業調査レポートを販売開始 *****
「ガリウムナイトライド半導体デバイスの世界市場：製品別（GaN無線周波数デバイス、光半導体）（2025～2030）」産業調査レポートを販売開始
2025年9月23日
H&Iグローバルリサーチ（株）
*****「ガリウムナイトライド半導体デバイスの世界市場：製品別（GaN無線周波数デバイス、光半導体）（2025～2030）」産業調査レポートを販売開始 *****
H&Iグローバルリサーチ株式会社（本社：東京都中央区）は、この度、Grand View Research社が調査・発行した「ガリウムナイトライド半導体デバイスの世界市場：製品別（GaN無線周波数デバイス、光半導体）（2025～2030）」市場調査レポートの販売を開始しました。ガリウムナイトライド半導体デバイスの世界市場規模、市場動向、市場予測、関連企業情報などが含まれています。
***** 調査レポートの概要 *****
1.1 現在の市場規模
GaN 半導体デバイス市場は、2023年時点で数十億米ドル規模に到達しており、特にパワーデバイスや高周波（RF）デバイス分野での採用拡大が市場成長を支えている。Si（シリコン）を超える高耐圧・高効率特性を有する GaN 技術は、次世代エレクトロニクスの中核技術とみなされている。
1.2 成長率と将来展望
年平均成長率（CAGR）は今後 5 年間で 20％前後 に達すると予想され、2028 年頃には現在の 2 倍以上の規模に成長する可能性がある。特に EV、再生可能エネルギー、5G 通信分野の需要が成長の主要因となる。
1.3 成長を支える要因
・電動化の進展：電気自動車やハイブリッド車におけるオンボードチャージャー、DC-DC コンバータへの GaN 採用。・再生可能エネルギー：太陽光・風力発電システムのインバータ効率改善。
・通信分野：5G・衛星通信の RF パワーアンプ需要。
・産業機器：小型化・高効率電源に対する産業界のニーズ。
1. 技術的特徴と優位性
2.1 GaN の物性
・高電子移動度（High Electron Mobility）・高い絶縁破壊電界強度
・広いバンドギャップ（3.4 eV）
これらにより、従来の Si や SiC に比べて高速スイッチング、高周波性能、低損失といった優れた特性を発揮する。
2.2 デバイス形態
・GaN パワートランジスタ（HEMT, MOSFET）・RF デバイス（アンプ、モジュール）
・オプトエレクトロニクス（LED、レーザーダイオード）
2.3 技術的課題
・ウェハ製造コストの高さ（Si 基板や SiC 基板上のエピタキシャル成長）・パッケージング・放熱設計の難易度
・信頼性確保のための品質規格整備
1. 市場セグメント分析
3.1 デバイス別分類
・パワーデバイス（EV、再エネ、産業機器向け）・RF デバイス（5G、基地局、衛星通信、防衛用途）
・オプトエレクトロニクス（LED、UV-C 殺菌デバイスなど）
3.2 用途別分類
・自動車：EV パワートレイン、車載充電器・エネルギー：太陽光インバータ、蓄電池システム
・通信：基地局アンプ、レーダーシステム
・家電・産業：高効率アダプタ、データセンター電源
3.3 地域別分類
・北米：EV 市場拡大、データセンター需要・欧州：再生可能エネルギー・環境規制を背景とした GaN 採用
・アジア太平洋：中国・日本・韓国・台湾の製造基盤
・その他地域：中東・南米におけるインフラ需要
1. 競争環境と主要企業動向
4.1 主なプレイヤー
・Infineon Technologies（ドイツ）・STMicroelectronics（スイス・フランス）
・GaN Systems（カナダ）
・Navitas Semiconductor（米国）
・EPC (Efficient Power Conversion)（米国）
・Cree/Wolfspeed（米国）
4.2 戦略的動向
・EV メーカーとのパートナーシップ強化・データセンター・クラウド企業向け高効率電源の共同開発
・GaN IC（集積化パワー IC）の開発による小型化・高効率化
1. 成長を阻害する要因
5.1 技術面の課題
・高温環境下での信頼性データ不足・パッケージ・放熱対策の標準化不足
5.2 市場面の課題
・製造コストが依然として高水準・競合材料（SiC）の存在
・大規模量産体制の整備不足
1. 今後の市場機会と展望
6.1 EV 普及に伴う爆発的需要
車載用途は今後 5 年間で市場拡大の最大要因となり、GaN パワーデバイスの採用が主流化すると予測される。
6.2 グリーンエネルギーとの親和性
太陽光発電・風力発電・蓄電池などでのインバータ効率改善は、各国の脱炭素政策と直結する。
6.3 通信インフラ強化
5G の普及や 6G 研究開発は、GaN RF デバイス市場を牽引する。特に高周波・高出力用途での需要が増大する。
6.4 新興市場
・UV-C LED：殺菌・医療用途・航空宇宙・防衛：高出力・高信頼性を要求するシステム
1. 将来シナリオと戦略的提言
7.1 ベースラインシナリオ
・CAGR 20% 前後で堅調に成長し、2030 年には数百億米ドル規模に達する。7.2 強気シナリオ
・EV 普及スピードが予想以上に加速し、再エネ投資も拡大。GaN 採用が標準化すれば CAGR 25% 以上も可能。7.3 弱気シナリオ
・SiC との競争激化、製造コスト低減の遅れが普及を阻害するリスク。7.4 戦略的提言
・企業向け：R&D 投資と量産体制構築、顧客企業との共同開発強化・政府・政策立案者向け：環境規制を活かした導入促進策、人材育成支援
***** 調査レポートの目次(一部抜粋) *****
1. 総論 ― エグゼクティブサマリー1.1 調査目的・スコープ
1.2 主要な市場ハイライト（2024年と以降の予測）
1.3 市場規模：2024年ベースライン 3.06億米ドル、2030年の予測値 12.47億米ドル vs 成長率（CAGR 27.4％）
1.4 成長ドライバーと抑制要因の要約
1.5 用途別・地域別のキーハイライト
1.6 競争環境と技術トレンドの要点
1. 定義・調査手法・前提条件 2.1 “ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス”の定義と範囲（製品形態・用途を含む） 2.2 調査期間・基準年・予測期間（例：2024–2030年） 2.3 セグメンテーション：用途／地域／製品タイプ等の区分 2.4 データ取得方法：一次情報、二次情報、推計アプローチ 2.5 価格・為替・インフレなどの前提条件 2.6 調査の制約・仮定事項
1. 市場概況とマクロトレンド 3.1 GaN デバイスの物理特性と優位性（高周波、高耐圧、効率性、熱管理） 3.2 技術進歩：材料設計・エピタキシャル成長・パッケージ技術 3.3 電子機器／通信／自動車／再エネなど用途拡大の背景 3.4 カーボンニュートラル政策および環境規制の影響 3.5 インフラ／産業のデジタル化とデータセンター需要
1. 市場規模と予測分析 4.1 世界市場規模の推移と予測（2024年～2030年） 4.2 年平均成長率（CAGR） 27.4％ の根拠と検証 4.3 製品タイプ別予測：パワー・RF・その他デバイスのシェアと成長率 4.4 用途別予測：通信、電源、自動車、再生可能エネルギー等への分配 4.5 地域別市場予測：北米／ヨーロッパ／アジア太平洋／その他地域 4.6 感度分析：価格変動・サプライチェーン変化・規制変更の影響
1. 製品タイプ別市場セグメント 5.1 RF デバイス（アンプ、送信機等） 5.1.1 製品仕様・周波数帯域別要件 5.1.2 市場の主要用途（通信基地局、衛星通信、レーダー等） 5.2 パワーデバイス（トランジスタ、スイッチング用途等） 5.2.1 高耐圧 GaN デバイスタイプ（HEMT、GaN MOSFET 等） 5.2.2 スイッチング効率・熱管理の設計要件 5.3 光電子デバイス（LED、レーザー等）／特殊応用デバイス 5.3.1 UV／可視光 LED 用 GaN デバイスの応用 5.3.2 センサー、光通信等の特殊用途
1. 用途別分析 6.1 通信用途（5G／6G基地局、衛星通信、無線通信） 6.2 自動車用途（オンボードチャージャー、DC-DC コンバータ、EVパワートレイン） 6.3 再生可能エネルギー用途（太陽光インバータ、蓄電システム） 6.4 消費電源・産業機器用途（アダプタ、電源装置、産業モーター制御等） 6.5 その他用途（医療機器、UV 殺菌、照明等）
1. 地域別市場分析 7.1 北米市場動向 7.1.1 米国の市場規模・成長率・規制政策 7.1.2 カナダ／メキシコの需給構造
7.2 ヨーロッパ市場動向
7.2.1 欧州での GaN 採用を促す政策・助成金
7.2.2 技術開発と製造拠点の事例
7.3 アジア太平洋地域分析
7.3.1 中国：製造キャパシティと国内需要拡大
7.3.2 日本・韓国・台湾：先端企業と研究の動き
7.3.3 東南アジア・インド等の新興市場の参入機会
7.4 その他地域（中東・アフリカ／ラテンアメリカ）の展望
1. 競争環境・主要企業プロファイル 8.1 市場参加者一覧と市場シェア（上位企業） 8.2 主要企業の製品ポートフォリオと技術優位性 8.3 最近の戦略（提携／買収／新製品発表など） 8.4 差別化要因：性能、コスト、信頼性、供給体制
1. 技術トレンドとイノベーション指向 9.1 材料技術の進化（高品質 GaN ウェハ／エピタキシャル成長技術） 9.2 パッケージング・放熱ソリューションの最適化 9.3 高周波設計におけるノード縮小とスイッチング損失低減技術 9.4 信頼性・寿命データ整備と品質規格の発展
1. 成長機会と抑制要因（リスク要因） 10.1 市場機会の明確化（EV、自動車、通信、再生エネ等用途） 10.2 規制・政策の追い風（CO₂ 削減目標、通信拡大政策など） 10.3 成本・価格競争の圧力 10.4 信頼性・パッケージング・サプライチェーンの課題 10.5 競合素材（SiC など）との比較と競争リスク
1. 将来予測シナリオと戦略的提言 11.1 ベースラインシナリオ（現在のトレンドが続く場合） 11.2 強気シナリオ（技術進化・政策支援の拡大が実現する場合） 11.3 弱気シナリオ（コスト上昇・規制遅滞・競合圧が増す場合） 11.4 企業に対する戦略提言（研究開発、地域展開、提携等） 11.5 政策立案者に対する提言（助成制度・研究投資・標準化促進など）
1. 付録・補足資料 12.1 用語集／略語一覧 12.2 基本データ表（年別・地域別市場規模） 12.3 調査手法詳細・仮定条件の補足 12.4 図表一覧 12.5 参考文献／出典
※「ガリウムナイトライド半導体デバイスの世界市場：製品別（GaN無線周波数デバイス、光半導体）（2025～2030）」調査レポートの詳細紹介ページ
⇒https://www.marketreport.jp/gallium-nitride-semiconductor-devices-market
※その他、Grand View Research社調査・発行の市場調査レポート一覧
⇒https://www.marketreport.jp/grand-view-research-reports-list
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